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中國(guó)晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與未來(lái)前景規(guī)劃分析報(bào)告2023-2030年
章 晶圓加工設(shè)備概述
1.1 晶圓加工設(shè)備基本介紹
1.1.1 晶圓加工設(shè)備價(jià)值
1.1.2 晶圓加工設(shè)備分類(lèi)
1.1.3 晶圓加工設(shè)備特點(diǎn)
1.1.4 行業(yè)的上下游情況
1.2 晶圓加工相關(guān)工藝
1.2.1 晶圓加工流程
1.2.2 熱處理工藝
1.2.3 光刻工藝
1.2.4 刻蝕工藝
1.2.5 薄膜沉積工藝
1.2.6 化學(xué)機(jī)械研磨工藝
1.2.7 清洗工藝
第二章 2020-2023年中國(guó)晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜述
2.1 中國(guó)晶圓加工設(shè)備行業(yè)政策環(huán)境
2.1.1 行業(yè)政策概覽
2.1.2 行業(yè)規(guī)劃政策
2.1.3 行業(yè)稅收政策
2.2 中國(guó)晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展環(huán)境
2.2.1 半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)基本情況
2.2.2 全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
2.2.3 全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
2.2.4 國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)政策分析
2.2.5 中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
2.2.6 國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展需求
2.3 晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
2.3.1 全球晶圓加工設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模
2.3.2 全球晶圓加工設(shè)備細(xì)分市場(chǎng)
2.3.3 中國(guó)晶圓加工設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模
2.3.4 中國(guó)集成電路制造設(shè)備國(guó)產(chǎn)化潛力
2.4 中國(guó)晶圓加工設(shè)備行業(yè)投招標(biāo)情況
2.4.1 半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)招投標(biāo)情況
2.4.2 晶圓加工設(shè)備廠商中標(biāo)現(xiàn)狀
2.4.3 晶圓加工設(shè)備廠商中標(biāo)動(dòng)態(tài)
2.4.4 晶圓加工設(shè)備行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)
2.5 晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展挑戰(zhàn)及建議
2.5.1 晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展挑戰(zhàn)
2.5.2 晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展建議
第三章 2020-2023年中國(guó)光刻設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜述
3.1 光刻設(shè)備概述
3.1.1 光刻機(jī)基本介紹
3.1.2 光刻設(shè)備技術(shù)介紹
3.1.3 EUV光刻機(jī)制造工藝
3.1.4 主流光刻機(jī)產(chǎn)品對(duì)比
3.2 全球光刻設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況分析
3.2.1 全球光刻機(jī)行業(yè)發(fā)展歷程
3.2.2 全球光刻機(jī)行業(yè)上下游布局
3.2.3 全球光刻機(jī)行業(yè)銷(xiāo)量規(guī)模
3.2.4 全球光刻機(jī)行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模
3.2.5 全球光刻機(jī)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分析
3.2.6 全球光刻機(jī)行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
3.3 中國(guó)光刻設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況分析
3.3.1 國(guó)內(nèi)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)政策
3.3.2 國(guó)內(nèi)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈布局
3.3.3 國(guó)內(nèi)光刻機(jī)研發(fā)動(dòng)態(tài)
3.3.4 光刻機(jī)行業(yè)面臨問(wèn)題
3.3.5 國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)發(fā)展建議
3.3.6 國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)破局之路
3.4 2020-2023年中國(guó)光刻機(jī)進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
3.4.1 進(jìn)出口總量數(shù)據(jù)分析
3.4.2 主要貿(mào)易國(guó)進(jìn)出口情況分析
3.4.3 主要省市進(jìn)出口情況分析
第四章 2020-2023年中國(guó)薄膜沉積設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜述
4.1 薄膜沉積設(shè)備概述
4.1.1 薄膜沉積設(shè)備定義
4.1.2 薄膜沉積設(shè)備分類(lèi)
4.2 薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)發(fā)展情況
4.2.1 全球薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模
4.2.2 全球薄膜沉積設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)
4.2.3 國(guó)內(nèi)薄膜沉積設(shè)備招標(biāo)情況
4.2.4 國(guó)內(nèi)薄膜沉積設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)
4.2.5 薄膜沉積設(shè)備行業(yè)面臨挑戰(zhàn)
4.3 化學(xué)氣相沉積(CVD)設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
4.3.1 CVD技術(shù)概述
4.3.2 CVD設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈全景
4.3.3 CVD設(shè)備行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
4.3.4 CVD設(shè)備行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
4.4 薄膜沉積設(shè)備行業(yè)發(fā)展前景
4.4.1 薄膜沉積設(shè)備行業(yè)面臨機(jī)遇
4.4.2 薄膜沉積設(shè)備行業(yè)風(fēng)險(xiǎn)分析
4.4.3 薄膜沉積設(shè)備行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)
第五章 2020-2023年中國(guó)刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜述
5.1 刻蝕設(shè)備概述
5.1.1 半導(dǎo)體刻蝕技術(shù)
5.1.2 刻蝕工藝分類(lèi)
5.1.3 刻蝕先進(jìn)工藝
5.1.4 刻蝕設(shè)備原理
5.1.5 刻蝕設(shè)備分類(lèi)
5.1.6 刻蝕設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈
5.2 全球刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
5.2.1 刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模
5.2.2 刻蝕設(shè)備市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
5.2.3 刻蝕設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)格局
5.3 中國(guó)刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
5.3.1 刻蝕行業(yè)驅(qū)動(dòng)因素
5.3.2 刻蝕設(shè)備國(guó)產(chǎn)化情況
5.3.3 刻蝕技術(shù)水平發(fā)展?fàn)顩r
5.3.4 刻蝕領(lǐng)域技術(shù)水平差距
5.3.5 刻蝕設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代機(jī)遇
第六章 2020-2023年中國(guó)化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備行業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
6.1 CMP設(shè)備概述
1.1.1 CMP技術(shù)概念
6.1.1 CMP設(shè)備應(yīng)用場(chǎng)景
1.1.2 CMP設(shè)備基本類(lèi)型
6.2 全球CMP設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
6.2.1 全球CMP設(shè)備市場(chǎng)分布
6.2.2 全球CMP設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)格局
6.2.3 全球CMP設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模
6.3 中國(guó)CMP設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
6.3.1 CMP設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模
6.3.2 CMP設(shè)備市場(chǎng)分布
6.3.3 CMP設(shè)備市場(chǎng)集中度
6.3.4 CMP設(shè)備行業(yè)面臨挑戰(zhàn)
6.4 CMP設(shè)備行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)
6.4.1 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)風(fēng)險(xiǎn)
6.4.2 技術(shù)創(chuàng)新風(fēng)險(xiǎn)
6.4.3 技術(shù)迭代風(fēng)險(xiǎn)
6.4.4 客戶(hù)集中風(fēng)險(xiǎn)
6.4.5 政策變動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)
6.5 CMP設(shè)備技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
6.5.1 設(shè)備拋光頭分區(qū)精細(xì)化
6.5.2 清洗單元多能量組合化
6.5.3 設(shè)備工藝控制智能化
6.5.4 預(yù)防性維護(hù)精益化
第七章 2020-2023年中國(guó)清洗設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜述
7.1 清洗設(shè)備行業(yè)概述
7.1.1 半導(dǎo)體清洗介紹
7.1.2 半導(dǎo)體清洗工藝
7.1.3 清洗設(shè)備的主要類(lèi)型
7.1.4 清洗設(shè)備的清洗原理
7.2 全球清洗設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
7.2.1 全球清洗設(shè)備行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模
7.2.2 全球清洗設(shè)備行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
7.2.3 全球清洗設(shè)備公司技術(shù)布局
7.2.4 全球清洗設(shè)備市場(chǎng)結(jié)構(gòu)分布
7.3 中國(guó)清洗設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
7.3.1 國(guó)內(nèi)清洗設(shè)備企業(yè)發(fā)展情況
7.3.2 國(guó)內(nèi)清洗設(shè)備行業(yè)技術(shù)發(fā)展
7.3.3 國(guó)內(nèi)清洗設(shè)備市場(chǎng)發(fā)展空間
7.4 國(guó)內(nèi)清洗設(shè)備廠商中標(biāo)情況
7.4.1 中標(biāo)情況概覽
7.4.2 長(zhǎng)江存儲(chǔ)
7.4.3 華虹無(wú)錫
7.4.4 上海華力
第八章 2020-2023年中國(guó)離子注入設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜述
8.1 離子注入機(jī)概述
8.1.1 離子注入工藝
8.1.2 離子注入機(jī)組成
8.1.3 離子注入機(jī)類(lèi)型
8.1.4 離子注入機(jī)工作原理
8.2 離子注入機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域分析
8.2.1 光伏應(yīng)用領(lǐng)域
8.2.2 集成電路應(yīng)用領(lǐng)域
8.2.3 面板AMOLED領(lǐng)域
8.3 全球離子注入設(shè)備發(fā)展?fàn)顩r
8.3.1 行業(yè)市場(chǎng)價(jià)值
8.3.2 全球市場(chǎng)規(guī)模
8.3.3 全球市場(chǎng)格局
8.3.4 行業(yè)進(jìn)入壁壘
8.4 國(guó)內(nèi)離子注入設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
8.4.1 行業(yè)相關(guān)政策
8.4.2 行業(yè)供求分析
8.4.3 行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模
8.4.4 細(xì)分市場(chǎng)分析
8.4.5 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
8.4.6 行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)
第九章 2020-2023年中國(guó)其他晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展分析
9.1 涂膠顯影設(shè)備行業(yè)
9.1.1 涂膠顯影設(shè)備介紹
9.1.2 涂膠顯影工藝流程
9.1.3 涂膠顯影設(shè)備行業(yè)規(guī)模
9.1.4 涂膠顯影設(shè)備行業(yè)格局
9.2 去膠設(shè)備行業(yè)
9.2.1 去膠設(shè)備工藝介紹
9.2.2 去膠設(shè)備行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模
9.2.3 去膠設(shè)備行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
9.2.4 國(guó)內(nèi)去膠設(shè)備企業(yè)發(fā)展
9.3 熱處理設(shè)備行業(yè)
9.3.1 熱處理設(shè)備分類(lèi)
9.3.2 熱處理設(shè)備技術(shù)特點(diǎn)
9.3.3 熱處理設(shè)備行業(yè)規(guī)模
9.3.4 熱處理設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)格局
9.3.5 熱處理設(shè)備中標(biāo)情況
第十章 2020-2023年晶圓加工設(shè)備行業(yè)下游發(fā)展分析——晶圓制造行業(yè)
10.1 晶圓制造行業(yè)概述
10.1.1 行業(yè)發(fā)展歷程
10.1.2 企業(yè)經(jīng)營(yíng)模式
10.1.3 行業(yè)技術(shù)發(fā)展
10.2 全球晶圓制造業(yè)發(fā)展分析
10.2.1 全球晶圓制造業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)
10.2.2 全球晶圓制造產(chǎn)能分析
10.2.3 全球晶圓代工市場(chǎng)規(guī)模
10.2.4 全球晶圓代工市場(chǎng)份額
10.2.5 全球晶圓代工企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)
10.3 全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)格局
10.3.1 專(zhuān)屬晶圓代工廠排名
10.3.2 晶圓代工TOP10企業(yè)
10.3.3 晶圓二線專(zhuān)屬代工企業(yè)
10.3.4 IDM兼晶圓代工企業(yè)
10.4 中國(guó)晶圓制造業(yè)發(fā)展分析
10.4.1 晶圓制造行業(yè)規(guī)模
10.4.2 晶圓制造行業(yè)產(chǎn)量
10.4.3 晶圓制造區(qū)域發(fā)展
10.4.4 晶圓制造并購(gòu)分析
10.4.5 芯片制程升級(jí)需求
10.4.6 晶圓制造發(fā)展機(jī)遇
10.5 中國(guó)晶圓代工市場(chǎng)運(yùn)行分析
10.5.1 晶圓代工市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
10.5.2 國(guó)內(nèi)晶圓廠生產(chǎn)線發(fā)展
10.5.3 本土晶圓代工公司排名
10.5.4 晶圓代工市場(chǎng)發(fā)展預(yù)測(cè)
第十一章 2019-2022年國(guó)外晶圓加工設(shè)備主要企業(yè)經(jīng)營(yíng)情況
11.1 應(yīng)用材料(AMAT)
11.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.1.2 2019年經(jīng)營(yíng)狀況
11.1.3 2021年經(jīng)營(yíng)狀況
11.1.4 2022年經(jīng)營(yíng)狀況
11.2 泛林半導(dǎo)體(Lam)
11.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.2.2 2019年經(jīng)營(yíng)狀況
11.2.3 2021年經(jīng)營(yíng)狀況
11.2.4 2022年經(jīng)營(yíng)狀況
11.3 東京電子(TEL)
11.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.3.2 2019年經(jīng)營(yíng)狀況
11.3.3 2021年經(jīng)營(yíng)狀況
11.3.4 2022年經(jīng)營(yíng)狀況
11.4 先晶半導(dǎo)體(ASMI)
11.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.4.2 2019年經(jīng)營(yíng)狀況
11.4.3 2021年經(jīng)營(yíng)狀況
11.4.4 2022年經(jīng)營(yíng)狀況
第十二章 2019-2022年國(guó)內(nèi)晶圓加工設(shè)備主要企業(yè)經(jīng)營(yíng)情況
12.1 拓荊科技
12.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.1.2 經(jīng)營(yíng)效益分析
12.1.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
12.1.4 財(cái)務(wù)狀況分析
12.1.5 核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
12.1.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.1.7 未來(lái)前景展望
12.2 北方華創(chuàng)
12.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.2.2 經(jīng)營(yíng)效益分析
12.2.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
12.2.4 財(cái)務(wù)狀況分析
12.2.5 核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
12.2.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.2.7 未來(lái)前景展望
12.3 中微公司
12.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.3.2 經(jīng)營(yíng)效益分析
12.3.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
12.3.4 財(cái)務(wù)狀況分析
12.3.5 核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
12.3.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.3.7 未來(lái)前景展望
12.4 盛美上海
12.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.4.2 企業(yè)主營(yíng)產(chǎn)品
12.4.3 經(jīng)營(yíng)效益分析
12.4.4 業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
12.4.5 財(cái)務(wù)狀況分析
12.4.6 核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
12.4.7 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.4.8 未來(lái)前景展望
12.5 至純科技
12.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.5.2 企業(yè)主要業(yè)務(wù)
12.5.3 經(jīng)營(yíng)效益分析
12.5.4 業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
12.5.5 財(cái)務(wù)狀況分析
12.5.6 核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
12.5.7 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.5.8 未來(lái)前景展望
12.6 萬(wàn)業(yè)企業(yè)
12.6.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.6.2 經(jīng)營(yíng)效益分析
12.6.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
12.6.4 財(cái)務(wù)狀況分析
12.6.5 核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
12.6.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.6.7 未來(lái)前景展望
12.7 屹唐股份
12.7.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.7.2 經(jīng)營(yíng)效益分析
12.7.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
12.7.4 財(cái)務(wù)狀況分析
12.7.5 核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
12.7.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.7.7 未來(lái)前景展望
12.8 華海清科
12.8.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.8.2 拋光墊產(chǎn)品發(fā)展
12.8.3 經(jīng)營(yíng)效益分析
12.8.4 業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
12.8.5 財(cái)務(wù)狀況分析
12.8.6 核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
12.8.7 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.8.8 未來(lái)前景展望
第十三章 中國(guó)晶圓加工設(shè)備行業(yè)項(xiàng)目投資案例
13.1 拓荊科技原子層沉積(ALD)設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目
13.1.1 項(xiàng)目基本情況
13.1.2 項(xiàng)目投資概算
13.1.3 項(xiàng)目進(jìn)度安排
13.1.4 項(xiàng)目效益分析
13.2 盛美上海清洗設(shè)備研發(fā)項(xiàng)目
13.2.1 項(xiàng)目基本情況
13.2.2 項(xiàng)目?jī)r(jià)值分析
13.2.3 項(xiàng)目投資概算
13.2.4 項(xiàng)目效益分析
13.3 屹唐股份刻蝕設(shè)備研發(fā)項(xiàng)目
13.3.1 項(xiàng)目基本情況
13.3.2 項(xiàng)目進(jìn)度安排
13.3.3 項(xiàng)目?jī)r(jià)值分析
13.3.4 項(xiàng)目效益分析
13.4 華海清科化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備項(xiàng)目投資案例
13.4.1 項(xiàng)目基本情況
13.4.2 項(xiàng)目投資價(jià)值
13.4.3 項(xiàng)目投資概算
13.4.4 項(xiàng)目效益分析
第十四章 2023-2029年晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展前景及趨勢(shì)預(yù)測(cè)
14.1 晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展前景
14.1.1 行業(yè)面臨機(jī)遇
14.1.2 國(guó)產(chǎn)替代前景
14.1.3 下游市場(chǎng)趨勢(shì)
14.2 2023-2029年中國(guó)晶圓加工設(shè)備行業(yè)預(yù)測(cè)分析
14.2.1 2023-2029年中國(guó)晶圓加工設(shè)備行業(yè)影響因素分析
14.2.2 2023-2029年中國(guó)晶圓加工設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)
圖表目錄
圖表 集成電路主要設(shè)備投資比例
圖表 晶圓制造主要步驟使用工藝及設(shè)備
圖表 主要晶圓加工設(shè)備介紹及其國(guó)內(nèi)外制造企業(yè)
圖表 氧化工藝的用途
圖表 光刻工藝流程圖
圖表 光刻工藝流程
圖表 等離子刻蝕原理
圖表 濕法刻蝕和干法刻蝕對(duì)比
圖表 離子注入與擴(kuò)散工藝比較
圖表 離子注入機(jī)示意圖
圖表 離子注入機(jī)細(xì)分市場(chǎng)格局
圖表 IC集成電路離子注入機(jī)市場(chǎng)格局
圖表 三種CVD工藝對(duì)比
圖表 蒸發(fā)和濺鍍PVD工藝對(duì)比
圖表 半導(dǎo)體清洗的污染物種類(lèi)、來(lái)源及危害
圖表 近年與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的扶持政策
圖表 2010-2021年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額
圖表 2021年全球大半導(dǎo)體設(shè)備廠商銷(xiāo)售額
圖表 半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)政策
圖表 2012-2021年中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額
圖表 國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額
圖表 2020 年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額和占比
圖表 2021年全球各類(lèi)晶圓制造設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模
圖表 2014-2021年全球各地區(qū)集成電路制造設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模
圖表 國(guó)產(chǎn)集成電路制造設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程
圖表 2022年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備招投標(biāo)數(shù)據(jù)總覽
圖表 2022年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備招投標(biāo)數(shù)據(jù)總覽
圖表 2022年北方華創(chuàng)中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2022年中微公司中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2022年盛美半導(dǎo)體中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2022年沈陽(yáng)拓荊中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2022年屹唐半導(dǎo)體中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2022年中國(guó)電子科技集團(tuán)中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2022年至純科技中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2022年北方華創(chuàng)中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2022年中微公司中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2022年盛美半導(dǎo)體中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 2022年至純科技中標(biāo)數(shù)據(jù)
圖表 EUV光刻機(jī)制造工藝難點(diǎn)
圖表 EUV光刻機(jī)優(yōu)勢(shì)
圖表 EUV光刻技術(shù)演示
圖表 EUV與ArF光刻機(jī)對(duì)比分析
圖表 光刻機(jī)領(lǐng)域發(fā)展歷程
圖表 2016-2025年全球光刻機(jī)年度銷(xiāo)量及預(yù)測(cè)
圖表 2016-2025年全球光刻機(jī)市場(chǎng)規(guī)模
圖表 2021年全球光刻機(jī)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)(按銷(xiāo)量計(jì))
圖表 2021年全球光刻機(jī)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)(按營(yíng)銷(xiāo)額計(jì))
圖表 全球光刻機(jī)行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
圖表 國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈
圖表 國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)破局要點(diǎn)
圖表 2019-2022年中國(guó)制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)出口總額
圖表 2019-2022年中國(guó)制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)出口結(jié)構(gòu)
圖表 2019-2022年中國(guó)制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)貿(mào)易順差規(guī)模
圖表 2019-2021年中國(guó)制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)口區(qū)域分布
圖表 2019-2022年中國(guó)制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)口市場(chǎng)集中度(分國(guó)家)
圖表 2021年主要貿(mào)易國(guó)制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)口市場(chǎng)情況
圖表 2022年主要貿(mào)易國(guó)制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)口市場(chǎng)情況
圖表 2019-2021年中國(guó)制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)出口區(qū)域分布
圖表 2019-2022年中國(guó)制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)出口市場(chǎng)集中度(分國(guó)家)
圖表 2021年主要貿(mào)易國(guó)制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)出口市場(chǎng)情況
圖表 2022年主要貿(mào)易國(guó)制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)出口市場(chǎng)情況
圖表 2019-2022年主要省市制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)口市場(chǎng)集中度(分省市)
圖表 2021年主要省市制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)口情況
圖表 2022年主要省市制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)進(jìn)口情況
圖表 2019-2022年中國(guó)制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)出口市場(chǎng)集中度(分省市)
圖表 2021年主要省市制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)出口情況
圖表 2022年主要省市制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機(jī)出口情況
圖表 PVD、CVD及ALD成膜效果簡(jiǎn)示
圖表 薄膜沉積技術(shù)分類(lèi)
圖表 2019-2022年全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模
圖表 半導(dǎo)體設(shè)備投資占比情況
圖表 2021年薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
圖表 PVD及CVD在全球設(shè)備市場(chǎng)合計(jì)市占率
圖表 2019年全球ALD設(shè)備市場(chǎng)份額
圖表 2019年全球CVD設(shè)備市場(chǎng)份額
圖表 2021年P(guān)VD市場(chǎng)份額
圖表 國(guó)內(nèi)主要晶圓制造產(chǎn)線設(shè)備招標(biāo)統(tǒng)計(jì)
圖表 CVD技術(shù)對(duì)比
圖表 CVD分類(lèi)
圖表 CVD設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈
圖表 2017-2021年全球薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模及增速
圖表 2021年薄膜沉積設(shè)備細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu)占比情況
圖表 2021年全球CVD設(shè)備市場(chǎng)份額
圖表 刻蝕是去除沉積層形成電路圖形的工藝
圖表 2021主流刻蝕工藝份額
圖表 刻蝕工藝按材料分類(lèi)
圖表 干法刻蝕與濕法刻蝕對(duì)比分析
圖表 不同工藝的刻蝕次數(shù)
圖表 先進(jìn)制程刻蝕方法
圖表 刻蝕工藝技術(shù)簡(jiǎn)易原理
圖表 電容性和電感性等離體刻蝕設(shè)備
圖表 刻蝕設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈
圖表 2013-2025年全球刻蝕機(jī)市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè)
圖表 全球不同刻蝕介質(zhì)規(guī)模占比
圖表 2021年全球刻蝕設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)格局
圖表 國(guó)內(nèi)主要刻蝕設(shè)備生產(chǎn)商
圖表 各廠商刻蝕設(shè)備與刻蝕工藝對(duì)比
圖表 10 納米多重模板工藝原理,涉及多次刻蝕
圖表 刻蝕領(lǐng)域同行業(yè)公司技術(shù)對(duì)比
圖表 硅片制造過(guò)程CMP設(shè)備應(yīng)用場(chǎng)景
圖表 芯片制造過(guò)程CMP設(shè)備應(yīng)用場(chǎng)景
圖表 先進(jìn)封裝過(guò)程CMP設(shè)備應(yīng)用場(chǎng)景
圖表 不同類(lèi)型的CMP設(shè)備
圖表 2019年全球CMP設(shè)備區(qū)域市場(chǎng)分布
圖表 2019年全球CMP設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)格局
圖表 2012-2019年全球CMP設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模
圖表 2012-2019年全球CMP設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模
圖表 2013-2019年中國(guó)大陸CMP設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模
圖表 2019年全球CMP設(shè)備區(qū)域市場(chǎng)分布
圖表 國(guó)內(nèi)外CMP設(shè)備企業(yè)對(duì)比
圖表 半導(dǎo)體清洗中的污染物種類(lèi)
圖表 清洗步驟貫穿芯片制造流程中的多個(gè)工藝環(huán)節(jié)
圖表 工藝進(jìn)步帶來(lái)清洗步驟增加
圖表 濕法清洗工藝概覽
圖表 干法清洗工藝概覽
圖表 各種清洗設(shè)備情況
圖表 單片清洗原理
圖表 槽式清洗原理
圖表 單片槽式組合清洗原理
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